详细摘要： 600V30AIGBTSGT30T60SD1FD是一种功率半导体器件，用于高压和大电流开关应用中，它的结构类似于一个晶体管和一个可控硅的组合，具有高效率和快速开...
产品型号：SGT30T60SD1FD所在地：深圳市更新时间：2024-12-21 在线留言深圳市骊微电子科技有限公司
深圳市骊微电子科技有限公司
详细摘要： 600V30AIGBTSGT30T60SD1FD是一种功率半导体器件，用于高压和大电流开关应用中，它的结构类似于一个晶体管和一个可控硅的组合，具有高效率和快速开...
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详细摘要： 600V高速IGBT是一种工作电压为600V，并且具有较高开关速度的IGBT，可以在50kHz到100kHz的频率下稳定工作，特别适用于高频开关应用，如太阳能逆...
产品型号：SGT20T60SDM1P7所在地：深圳市更新时间：2024-12-21 在线留言
详细摘要： IGBT600V20ASGT20T60SD1S可以承受电压为600V和电流为20A，可以通过控制其栅极电压来控制其导电状态，从而控制电流和电压，通常用于电机控制...
产品型号：SGT20T60SD1S所在地：深圳市更新时间：2024-12-21 在线留言
详细摘要： 士兰微600VIGBT单管是一种高压、高电流电力控制器件，它是基于MOSFET和双极晶体管工作原理设计而成的，具有双极型和单极型晶体管的优点，可用于驱动电机、变...
产品型号：SGT20T60SD1P7所在地：深圳市更新时间：2024-12-21 在线留言
详细摘要： SGT20T60SD1F是一款带有反并联二极管的IGBT，其额定电压为600V，额定电流为20A，常见于高压、高功率的电力控制系统中，比如驱动工业电机、电子电源...
产品型号：SGT20T60SD1F所在地：深圳市更新时间：2024-12-21 在线留言
详细摘要： 600v15aigbt单管SGT15T60SD1F可兼容替换IKA15N60T，采用士兰微电子第三代场截止(FieldStop)工艺制作，具有较低的导通损耗和开...
产品型号：SGT15T60SD1F所在地：深圳市更新时间：2024-12-21 在线留言
详细摘要： SGTP5T60SD1D/F/S绝缘栅双极型品体管采用士兰微电子第三代场截止(FieldStop)工艺制作，具有较低的导通损耗和开关损耗，该产品可应用于UPS，...
产品型号：SGTP5T60SD1D所在地：深圳市更新时间：2024-12-21 在线留言
详细摘要： 5a600v耐压igbtSGTP5T60SD1S绝缘栅双极型晶体管采用T0-263-2L封装，具有低导通损耗、快开关速度、高输入阻抗等特点，典型应用于电机逆变I...
产品型号：SGTP5T60SD1S所在地：深圳市更新时间：2024-12-21 在线留言
详细摘要： 国产igbt600v5aSGTP5T60SD1F采用T0-220F-3L封装，饱和压降VCE(sat)(典型值)=1.5V@IC=5A，可兼容AOD5B65M1...
产品型号：SGTP5T60SD1F所在地：深圳市更新时间：2024-12-21 在线留言
详细摘要： 电机逆变器igbt可以控制电机电流的流通情况，实现对电机的频率、速度和转矩等参数的调节和控制，SGT15T60SD1S绝缘栅双极型晶品体管，集电极电流15A，集...
产品型号：SGT15T60SD1S所在地：深圳市更新时间：2024-12-21 在线留言
详细摘要： UPS逆变器IGBT是一种用于无间断电源（UPS）逆变器的IGBT器件，通常用于将直流电转换为交流电，以提供紧急备用电源
产品型号：SGT30T60SD3PU所在地：深圳市更新时间：2024-12-21 在线留言
详细摘要： PFCIGBT是一种将MOSFET的高开关速度与双极型晶体管的低通导损结合起来的半导体器件，通过降低从主电源中提取的输入电流的谐波失真来提高交直流电源的效率，P...
产品型号：SGT30T60SDM1P7所在地：深圳市更新时间：2024-12-21 在线留言
详细摘要： 600v60aigbt绝缘栅双极型晶体管，是指该IGBT可以在不损坏或失效的情况下处理电压为600V和电流为60A的电路，SGT60N60FD1P7600v60...
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